Солнечные элементы

20. Грилихес В. А., Орлов ?. П., Попов Л. Б. Солнечная энергия и космические полеты. M.: Наука, 1984. 248 с.

21. Грилихес В. А. Солнечные космические энергостанции. Л.: Наука, 1986. 182 с.

INFO

ББК 31.63

К 61

УДК 629.7.064.56

Колтун ?. М.

К. 61. Солнечные элементы. — M.: Наука, 1987.—

192 с., ил. — (Серия «Планета Земля и Вселенная»).

? 2302010000-412/054(02)-87-51—87НП

Марк Михайлович Колтун

СОЛНЕЧНЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ

Утверждено к печати редколлегией серии

«Научно-популярная литература»

Академии наук СССР

Редактор издательства

A. А. Боровая

Художественный редактор

B. Ю. Кученков

Технический редактор

Т. А. Калинина

Корректоры Н. Б. Габасова, Н. И. Казарина

ИБ № 35363

Сдано в набор 18.06.87

Подписано к печати 29.10.87 Т-20231. Формат 84x1081/32. Бумага книжно-журнальная. Гарнитура обыкновенная новая. Печать высокая.

Усл. печ. л. 10,08. Усл. кр. отт. 10, 4 Уч-изд. л. 11,6.

Тираж 12800 экз. Тип. зак. 792

Цена 45 коп.

Ордена Трудового Красного Знамени издательство «Наука»

117864, ГСП-7, Москва, В-485, Профсоюзная ул., 90

2-я типография издательства «Наука»

121099, Москва, Г-99, Шубинский пер., 6

…………………..

Скан: AAW

Опубликовано группой «Торрент-Книги»

FB2 — mefysto, 2024

Текст на задней обложке

От электронных часов и малогабаритных калькуляторов до межпланетных и орбитальных космических аппаратов, автоматических метеостанций находят применение солнечные элементы. Они преобразуют свет Солнца непосредственно в электроэнергию, бесшумно, не загрязняя окружающую среду. В книге профессора ?. М. Колтуна описаны свойства, конструкции, методы создания и исследования современных эффективных солнечных элементов и батарей.

notes

Примечания

1

Общепринятое сокращенное обозначение электронно-дырочных переходов, представляющих собой области в кристаллах, где контактируют слои с электронной (n-типа) и дырочной (p-типа) проводимостью. Тип проводимости определяется тем, какие носители — отрицательно или положительно заряженные, электроны или дырки — являются основными в данном образце полупроводника. Изменяется тип проводимости обычно путем соответствующего легирования донорной или акцепторной примесью, причем этот процесс может быть осуществлен локально, для отдельных мест или слоев полупроводниковой пластины, в целом легированной другой примесью.

2

В спектре поглощения в полупроводниках можно наблюдать несколько полос поглощения, характерных для примесей, свободных носителей заряда, колебаний решетки, растворенных газов и включений. Эти полосы располагаются чаще всего в средней и дальней частях инфракрасной области спектра. Основной считается полоса поглощения, появление которой обусловлено передачей части энергии падающего излучения связанным носителям заряда, находящимся около отдельных атомов и энергетически — в валентной зоне, после чего они получают возможность преодолеть запрещенную зону и перейти в зону проводимости, пополнив число свободных носителей заряда. Длинноволновый край основной полосы поглощения, о котором здесь идет речь, обычно определяется минимальным энергетическим значением ширины запрещенной зоны данного полупроводника. Для большинства полупроводниковых материалов, из которых изготовляются солнечные элементы, он лежит в ближней инфракрасной области спектра: при длине волны 1,1 мкм для кремния и при 0,9 мкм для арсенида галлия.

3

После разделения полем p-n-перехода дырки из n-области переходят в p-область, а электроны из p-области оказываются в n-области; те и другие становятся уже при этом основными носителями заряда в соответствующих областях солнечных элементов.

4

Алюминий является для кремния примесью р-типа.

5

Электрическое тянущее поле может быть образовано в отдельных областях солнечного элемента при плавном или резком изменении ширины запрещенной зоны полупроводника, а также путем создания перепада концентрации примеси по глубине; попавшие в такую область носители заряда движутся не только благодаря энергии, переданной им квантами света, подчиняясь законам диффузии, но и за счет энергии окружающего их электростатического поля, которое в этом случае в основном определяет скорость и направление перемещения носителей заряда.

6

Обозначение р⁺- и п+ — применяется по отношению к слоям, содержащим значительно большую концентрацию легирующей примеси и, следовательно, свободных носителей заряда, чем у обычно применяемых р- и n-областей солнечного элемента.

7

Изотипный переход образуется в полупроводнике одного и того же типа проводимости между слоями с резко отличающимися значениями концентрации одинаковой — донорной или акцепторной — примеси, например между n⁺-слоем, сильно легированным фосфором, и n-слоем, слабо легированным фосфором.

8

Пленка ITO, названная так по первым буквам английских слов индий — олово — оксид, получается из смеси оксидов олова и индия различными способами.

9

Энергетический спектр протонов и электронов в поясах радиации носит спадающий характер — суточные дозы частиц резко уменьшаются с увеличением их энергии.