В помощь радиолюбителю. Выпуск 8

В это время транзистор VT2 заперт, поэтому VT3 открыт, через него протекает ток базы транзистора VT1, поддерживающий его открытым. По мере заряда конденсатора С1 напряжение на нем растет и в какой-то момент достигает порога отпирания транзистора VT2, что запирает транзисторы VT3 и VT1. Конденсатор С1 начинает разряжаться базовым током VT2. Когда потенциал базы станет меньше порога отпирания, транзистор VT2 запрется, что приведет к отпиранию транзисторов VT3 и VT1. Цикл закончился. Таким образом, время открытого состояния VT1 (длительность импульса) определяется постоянной времени заряда С1, которая равна C1xR2, время запертого состояния VT1 (длительность паузы) — постоянной времени разряда С1, равной C1xR3.

Зарядный ток конденсатора С1 представляет собой лишь малую часть импульсного тока коллектора VT1. Основной его ток проходит в обмотку электромагнита L1, так как его сопротивление значительно меньше R2. Наконец, малая часть импульсного тока направляется в цепь светодиода HL1 для индикации. От импульсов самоиндукции, возникающих на обмотке электромагнита в момент запирания транзистора VT1, его защищает диод VD1.

Питать прибор в целях электробезопасности целесообразно от автономного источника, например батареи «Крона». Обмотка электромагнита наматывается проводом ПЭВ-2 диаметром 0,25 мм внавал на изоляционном каркасе с внутренним диаметром 10 мм до заполнения каркаса, наружный диаметр которого составляет 20 мм, а расстояние между щечками — 20 мм. Внутрь каркаса плотно вставляется стержень из мягкой стали длиной 20–30 мм.

Приложение СИСТЕМА УСЛОВНЫХ ОБОЗНАЧЕНИЙ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ

Условное обозначение интегральных микросхем (ИМС) для ориентации потребителей должно содержать информацию об их особенностях и назначении. Для этого согласно ГОСТ 17021-88 установлена определенная система. Главная часть условного обозначения состоит из трех- или четырехзначного числа, обозначающего номер серии, двух букв русского алфавита, которыми закодировано функциональное назначение микросхемы, и цифр порядкового номера разработки.

Первая цифра номера серии характеризует конструктивно-технологические свойства микросхемы: цифры 1, 5, 6 и 7 относятся к полупроводниковым микросхемам; 2, 4, 8 — к гибридным; 3 — к прочим, в том числе к пленочным. Гибридные микросхемы в настоящее время уже не выпускаются.

ИМС одной и той же серии обладают такими характеристиками, которые позволяют соединять между собой микросхемы этой серии разного функционального назначения без дополнительного согласования между ними и без дополнительных элементов схемы. Для этого микросхемы внутри серии рассчитаны на одинаковые напряжения питания и согласуются по уровням входных и выходных сигналов. Благодаря этому за счет широкой номенклатуры микросхем самого разного назначения внутри серии имеется возможность создания целого электронного устройства, собранного на микросхемах этой серии. Это значительно сокращает время разработки, габариты и массу устройства, а также потребляемую энергию. Хотя по питанию и входным-выходным сигналам микросхемы внутри серии полностью совместимы, обойтись без некоторых навесных элементов при создании аналоговых устройств пока не удается. Все еще приходится использовать катушки индуктивности, кварцевые резонаторы, крупногабаритные конденсаторы, переменные резисторы, электромагнитные реле и другие дискретные элементы. Многие разные серии микросхем также характеризуются одинаковыми значениями напряжения питания, что позволяет при сборке устройства использовать источник питания, вырабатывающий одно стабилизированное напряжение, что упрощает его конструкцию и сокращает номенклатуру источников питания.

Условные буквенные обозначения функционального назначения микросхем приведены в табл. 1.

Таблица 1.Условные буквенные обозначения функционального назначения ИМС