Занимательно о микроконтроллерах

Рис. 3.33.Графики изменения напряжения на линии считывания при считывании информации с запоминающей ячейки

Первоначально на линии записи/считывания присутствует половина напряжения питания микросхемы. При подключении к линии записи/считывания запоминающей ячейки заряд, хранящийся в запоминающей ячейке, изменяет напряжение на линии на небольшую величину ΔU. Теперь это напряжение необходимо восстановить до первоначального логического уровня. Если приращение напряжения ΔU было положительным, то напряжение необходимо довести до напряжения питания микросхемы. Если приращение ΔU было отрицательным, то напряжение необходимо довести до потенциала общего провода.

Для регенерации первоначального заряда, хранившегося в запоминающей ячейке, в схеме применяется RS-триггер, включенный между двумя линиями записи/считывания. Схема такого регенерирующего устройства приведена на рис. 3.34.

Рис. 3.34.Схема регенерирующего каскада

Эта схема за счет положительной обратной связи восстанавливает первоначальное значение напряжения, хранившегося в запоминающей ячейке. При этом на соседней линии считывания формируется противоположный сигнал, но т. к. она в данный момент никуда не подключена, то это неважно. То есть при считывании ячейки производится регенерация хранящегося в ней заряда. Для уменьшения времени регенерации микросхема устроена так, что при считывании одной ячейки памяти в строке запоминающей матрицы регенерируется вся строка.

Особенностью использования динамических ОЗУ является мультиплексирование шины адреса. Адрес строки и адрес столбца передаются поочередно. Адрес строки синхронизируется стробирующим сигналом RAS# (Row Address Strobe), а адрес столбца — сигналом CAS# (Column Address Strobe). Мультиплексирование адресов позволяет уменьшить количество выводов микросхем ОЗУ, что очень важно для микросхем с большим объемом внутренней памяти, т. е. с большой разрядностью адресной шины. Условное графическое обозначение микросхемы динамического ОЗУ на схемах приведено на рис. 3.35, а временная диаграмма обращения к такой микросхеме — на рис. 3.36.

Рис. 3.35.Условное графическое обозначение динамического ОЗУ

Рис. 3.36. Временная диаграмма обращения к динамическому ОЗУ

Именно так долгое время велась работа с динамическими ОЗУ. Затем было замечено, что обычно обращение ведется к данным, лежащим в соседних ячейках памяти, поэтому не обязательно при считывании или записи каждый раз передавать адрес строки. Данные стали записывать или считывать блоками и адрес строки передавать только в начале блока. При этом можно сократить общее время обращения к динамическому ОЗУ и тем самым увеличить быстродействие компьютера.

Такое обращение к динамическому ОЗУ называется быстрым страничным режимом доступа (FPM, Fast Page Mode). Длина считываемого блока данных обычно равна четырем словам. Время доступа к памяти принято оценивать в тактах системной шины процессора. В обычном режиме доступа к памяти оно одинаково для всех слов. Поэтому цикл обращения к динамической памяти можно записать как 5-5-5-5. При режиме быстрого страничного доступа цикл обращения к динамической памяти можно записать как 5-3-3-3, т. е. время обращения к первой ячейке не изменяется по сравнению с предыдущим случаем, а считывание последующих ячеек сокращается до трех тактов. При этом среднее время доступа к памяти сокращается почти в полтора раза. Временная диаграмма режима FPM приведена на рис. 3.37.

Рис. 3.37.Временная диаграмма записи в динамическое ОЗУ в режиме FPM

Еще одним способом увеличения быстродействия ОЗУ является применение микросхем EDO (Extended Data Out — ОЗУ с расширенным выходом данных). В EDO ОЗУ усилители-регенераторы не сбрасываются по окончанию строба CAS#, поэтому времени для считывания данных в таком режиме больше. Теперь для того чтобы сохранить время считывания на прежнем уровне, можно увеличить тактовую частоту системной шины и тем самым увеличить быстродействие компьютера. Для EDO ОЗУ цикл обращения к динамической памяти можно записать как 5-2-2-2.

Следующим шагом в развитии схем динамического ОЗУ было применение в составе ОЗУ счетчика столбцов. То есть при переходе адреса ячейки к следующему столбцу запоминающей матрицы адрес столбца инкрементируется (увеличивается) автоматически. Такое ОЗУ получило название BEDO (ОЗУ с пакетным доступом). В этом типе ОЗУ удалось достигнуть режима обращения к динамической памяти 5-1-1-1.